رضا نصرتی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد پردیس سیرجان
مهران ابدالی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد پردیس سیرجان

در این پژوهش به بررسی آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته و تاثیر ایجاد آلایش هاله گون تحت انرژی و زوایای مختلف را بر حاملهای داغ پرداخته شده است. این روش نشان می دهد که ایجاد آلایش هاله گون با زاویه ای بزرگتر یا انرژی بیشتر باعث بهبود پیچش ولتاژ آستانه میشود. بنابراین اثر حامل های داغ در این نواحی بیشتر میشود که ترانزیستورهای دارای آلایش هالهگون ایجادشده با انرژی پایین تر و زاویه بزرگتر نسبت به ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی بالاتر و زاویه کوچکتر دارای اثر حاملهای داغ کمتری خواهند بود. در نتیجه با ایجاد آلایش هاله گون اثر DIBL و پیچش ولتاژ آستانه و Ioff بهبود مییابد.

ترانزیستور MOSFET، آلایش هاله گون، توزیع ناخالصی