CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

استفاده از یک نانولایه برای افزایش دمای عملکرد سنسورهای مادون قرمز InSb

عنوان مقاله: استفاده از یک نانولایه برای افزایش دمای عملکرد سنسورهای مادون قرمز InSb
شناسه ملی مقاله: NNTC01_386
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو در سال 1389
مشخصات نویسندگان مقاله:

محمد ندیمی - تهران دانشگاه علم و صنعت ایران دانشکده برق گروه الکترونیک
علی صدر

خلاصه مقاله:
دراین مقاله روشی برای افزایش دمای عملکرد سنسور مادون قرمز InSb بیان شده است سنسورمادون قرمز فوتو - ولتائیک (InSb PVS) InSb ساختاری از یک دیود InSb p+ - p - +n می باشد که روی زیرلایه GaAs100 رشد داده شده به همراه یک لایه سد نانومقیاس In1-xAlxSb مابین لایه های +p, p- که از نفوذ الکترونهای برانگیخته نوری جلوگیری می کند برای افزایش نسبت سیگنال بهنویز اتصال سری تعداد زیادی دیود نوری InSb برروی زیرلایه انجام شدهاست ضمنا با توجه به اینکه اشکار ساز درحالت فوتوولتائیک کار می کند به عایق سازی حرارتی نیازی نخواهد بود و در نتیجه عمل کوچک سازی نیز راحت تر انجام می گیرد.

کلمات کلیدی:
سنسور مادون قرمز، InSb، نانولایه، دمای اتاق، خنک کننده

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/103958/