نغمه قلی پور ورکی - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین، دانشگاه تبریز، تبریز۵۱۶۶۶ ایران
کریم عباسیان
علی رستمی - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین، دانشگاه تبریز

در این مقاله با استفاده از نقاط کوانتومی سهترازه نوع Λ تزریق شده در نیمه راست تشدیدگر بالایی و با اثر شفافیت القاء الکترومغناطیسی و همچنین با انتخاب مناسب پارامترهای فیزیکی، عملکرد سلول حافظه تمام نوری قابل بارگیری و پاکشدنی را در چندین پیکاختلاف فاز، ایجاد شده باEIT بررسی کردهایم. برای جبران اتلاف درون تشدیدگرها از لیزینگبدون وارونسازی جمعیت توسط نقاط کوانتومی چهارترازه نوع Y در نیمه چپ تشدیدگرهای بالایی و پایینی، استفاده کردهایم.پالس داده نوشته شده و خوانده شده برای چند اختلاف فاز متفاوت را نشان داده و مشاهده شد که با کاهش اختلاف فاز ازp تا 4/p داده درون انتگرالگیر کندتر پاک میشود. و نیز در حالت اختلاف فاز p پهنای پالس داده خروجی نسبت به حالتهای دیگر کمتر و دامنه پالس از همه بیشتر یعنی مطلوبترین حالت است

تشدیدگر میکروحلقوی، حافظه تمام نوری، نقاط کوانتومی