سعید محمدی چری - تهران، اتوبان شهید بابایی، دانشگاه امام حسین (ع)، مرکز تحقیقات فیزیک،
عبدالحسین رضوانی - تهران، اتوبان شهید بابایی، دانشگاه امام حسین (ع) ، دانشکده علوم پایه،
امیرمسعود میری - تهران، اتوبان شهید بابایی، دانشگاه امام حسین (ع)، دانشکده برق، گروه ال
نادر امیری راد - تهران، اتوبان شهید بابایی، دانشگاه امام حسین (ع)، مرکز تحقیقات فیزیک،

تاثیر شدت لیزرNd:YAGبر بازده نانو لوله های کربنی تک دیواره سنتز شده به روش تبخیر لیزر پالسیPLV)با مقایسه ی سهساختار متفاوت لیزری: 1- تک پالس2.532nm 2-تک پالس 1064nm 3-جفت پالس 532+1064nm بررسی شد ونتایج با بهره گیری از طیف سنج پراکندگی ناکشسان رامان مقایسه شدند. قطع نظر از ساختار لیزر به کار برده شده، بازده و خصوصیات فیزیکیSWCNTs حساسیت بالایی را به شدت لیزر از خود نشان می دهند. با تحلیل طیف های رامان، نشان داده شد که وجود یک شدت لیزر بهینه نه فقط منجر به بالاترین بازده مجموعه ی SWCNTsمی شود که به کمترین تراز آمورف و کربن sp² بی نظم در رسوبات منجر خواهد شد.

تبخیر لیزر، پراکنگی رامانSWCNT