امیر بینقی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری
مجید بقائی نژاد - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری
مرتضی رضائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری

در این مقاله، یک تقویت­کننده کم نویز در باند Ka به‌صورت یکپارچه با استفاده از فناوری µm InGaAs pHEMT 15/0 برای کاربرد در گیرنده­های ماهواره­ای ارائه می­گردد. این تقویت­کننده که متشکل از سه‌طبقه می­باشد پس از طراحی و شبیه­سازی، جانمایی شده و به‌صورت تمام موج شبیه­سازی شده است. حداکثر عدد نویز تقویت­کننده در بازه فرکانسی GHz 32 تا GHz 37 برابر با dB 8/1 و محدوده تغییرات بهره برابر dB 4/0 ± 7/20 به‌دست آمده است. میزان تلفات بازگشتی در ورودی و خروجی نیز بهتر از dB 16 و نقطه فشردگی بهره dB 1 در خروجی برابر با dBm 13 حاصل شده است. مساحت کل اشغال‌شده طرح نهایی برابر با mm2 3/1 × 6/1 می­باشد. تقویت­کننده­های طبقات مختلف از نوع سورس مشترک با پیکربندی source degenerated بوده و تلاش شده است تا حد امکان تطبیق امپدانس با استفاده از خط انتقال بجای سلف پیاده­سازی شود. پایداری مدار نیز در بازه فرکانسی وسیع تاGHz  45 برآورده شده که برای بهبود آن از یک مقاومت و مدار تشدید موازی در مسیر تغذیه کمک گرفته شده است.

گیرنده ماهواره, تقویت‌کننده کم‌نویز, باند Ka, فناوری GaAs HEMT