سارا ندرلو - دانشگاه علوم و تحقیقات، دانشکده نفت و مهندسی شیمی
محمدرضا نژاد فلاح - دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) قزوین، دانشکده مهندسی عمران
پریان گرشاسبی - دانشگاه صنعتی امیرکبیر، دانشکده مهندسی پلیمر و رن
محمدامین پیمانی - دانشگاه صنعتی امیرکبیر، دانشکده مهندسی نفت
آنیتا کرمی - دانشگاه علوم و تحقیقات، دانشکده مهندسی عمران

در این مطالعه روش جدید برای سنتز نانوکریستال اکسید روی (ZnO) ارائه شده است. در این روش فیلم نانوکریستال اکسید روی با استفاده از سیستم اسپاترینگ فرکانس رادیویی با موفقیت روی لایه متخلخل سیلیکون (PS) سنتز شد. لایه PS مذکور با استفاده از روش کنده سازی الکتروشیمیای تهیه شد و دارای تخلخل در محدوده ۹۱ درصد بود و منافذ آن به طور متوسط دارای قطر به اندازه ۶.۲ نانومتر بودند. فیلم ZnO در امتداد عمود بر لایه PS رشد نسبتا بالایی داشت. اندازه متوسط کریستالیت برای لایه PS برابر ۱۷.۰۶ نانومتر بود و برای فیلم ZnO برابر ۱۷.۹۴ نانومتر بود. در این مطالعه مقدار کم تنش کششی که برابر ۰.۳۶ درصد بود که نشان دهنده این است که فیلم نانوکریستالی ZnO در امتداد عمود بر لایه رشد نسبتا قابل توجهی داشته است. همچنین طیف های نشر فوتولومینسانس لایه های ZnO/PS دارای سه پیک انتشار بودند که به ترتیب دو پیک اول به دلیل وجود فیلم نانوکریستالی ZnO بود و پیک سوم به دلیل وجود لایه PS نانوکریستالی بود.

نانو، نانو کریستال، اکسید روی، سیلیکون متخلخل، سنتز