مهدی فروزانفر - استادیار دانشگاه بیرجند

در این مقاله، مراحل مختلف طراحی، شبیه سازی و ساخت تقویت کننده ی هایبرید ۳ وات در باند فرکانسی ۹-۱۵ گیگاهرتز به تفصیل مورد بررسی قرار گرفته است. این تقویت کننده، که در کلاس AB کار می کنند با استفاده از ترانزیستور پکیج شده GaAs ساخته شده است و دارای توان اشباع خروجی ۳ وات، بهره سیگنال کوچک dB ۳۰ و راندمان توان ۳۵٪ است. در این مقاله، اثرات حرارتی بر روی عملکرد تقویت کننده بررسی شده و با بهینه سازی انتقال حرارت در تقویت کننده، مشخصات آن را بهبود داده ایم.

تقویت کننده توان هایبرید، GaAs، راندمان، توان خروجی.