شیرین حاجیان - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
مهدی رنجبر - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
هادی سلامتی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان

در این مقاله لایه های نازک اکسید تنگستن آلایش یافته با پالادیم ساخته شدند. برای این منظور سل تنگستیک اسید ایجاد شده به روش کودو و با نسبت های مختلف مولی پالادیم کلراید آلایش داده شده و سپس به روش غوطه وری سل-ژل بر روی زیر لایه های شیشه ای رسانای شفاف، لایه نشانی شدند. تاثیر آلایش بر ریخت شناسی و خواص اپتیکی و همچنین مشخصه الکتروکرومیک به کمک تکنیک های تصویربرداری میکروسکوب الکترونی روبشی، اسپکتروسکوپی UV-Vis و ولتامتری چرخه ای (CV) و همچنین چیدمان اپتیکی ثبت طیف عبور  در طول موج ۶۳۲ نانومتر، بررسی شدند. SEM نشان داد لایه هایی با ضخامت بین ۴۵۰ تا ۵۰۰ نانومتر با سطوح صاف و هموار به دست آمد ه اند. همچنین لایه ها شفافیت بالای ۸۵ درصد داشتند که با افزایش پالادیم گاف اپتیکی کاهش می یابد. نتایج ولتامتری نشان داد که، حضور پالادیم باعث کاهش پتانسیل کاتدی، افزایش پایداری شیمیایی لایه های نازک تنگستن اکسید و درنتیجه باعث ثبات عملکرد الکتروکرومیکی و این لایه ها می شود. در نهایت پاسخ زمانی فرایند الکتروکرومیک اندازه گیری شد و بازده الکتروشیمیایی مربوطه به دست آمد.

پالادیم, اکسید تنگستن, سل ژل, الکتروکرومیک, SEM