بررسی رفتار اکسایشی تیتانیم سیلیکون کاربید (۲SiC۳Ti) با قابلیت کاربرد به عنوان غلاف سوخت هسته ای
عنوان مقاله: بررسی رفتار اکسایشی تیتانیم سیلیکون کاربید (۲SiC۳Ti) با قابلیت کاربرد به عنوان غلاف سوخت هسته ای
شناسه ملی مقاله: JR_JONSAT-40-3_008
منتشر شده در در سال 1398
شناسه ملی مقاله: JR_JONSAT-40-3_008
منتشر شده در در سال 1398
مشخصات نویسندگان مقاله:
حمزه فراتی راد - ۱. پژوهشکده ی مواد و سوخت هسته ای، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، صندوق پستی: ۸۴۸۶-۱۱۳۶۵، تهران ایران
محمد قنادی مراغه - ۱. پژوهشکده ی مواد و سوخت هسته ای، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، صندوق پستی: ۸۴۸۶-۱۱۳۶۵، تهران ایران
حمیدرضا بهاروندی - ۲. مجتمع مواد و فرایندهای ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، صندوق پستی: ۱۷۷۴-۱۵۸۷۵، تهران ایران
خلاصه مقاله:
حمزه فراتی راد - ۱. پژوهشکده ی مواد و سوخت هسته ای، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، صندوق پستی: ۸۴۸۶-۱۱۳۶۵، تهران ایران
محمد قنادی مراغه - ۱. پژوهشکده ی مواد و سوخت هسته ای، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، صندوق پستی: ۸۴۸۶-۱۱۳۶۵، تهران ایران
حمیدرضا بهاروندی - ۲. مجتمع مواد و فرایندهای ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، صندوق پستی: ۱۷۷۴-۱۵۸۷۵، تهران ایران
مقاومت در برابر اکسایش مکس فاز ۲SiC۳Ti خالص تولید شده به روش مذاب خورانی پیشسازههای تیتانیم کاربید متخلخل ساخته شده با روش ریختگی ژلی، در دماهای مختلف ۵۰۰، ۸۰۰، ۱۰۰۰، ۱۱۰۰، ۱۲۰۰، ۱۳۰۰ و C˚۱۴۰۰ در محیط اکسیژن مورد ارزیابی قرار گرفت. ترکیب فازهای اکسیدی تشکیل شده روی سطح نمونهها با استفاده از تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD) شناسایی شد. ضخامت لایههای اکسیدی تشکیل شده روی نمونهها با بررسی سطح مقطع نمونهها با تکنیک میکروسکوپی الکترون روبشی (SEM) اندازهگیری شد. به منظور تشریح سازوکار فرایند اکسایش، تجزیههای گرماوزنی (TG) و گرماسنجی پویشی تفاضلی (DSC) در محدودهی دمایی ۲۵ تا ˚C۱۵۰۰ به انجام رسید. یافتهها نشان داد که تا دمای ˚C۱۰۰۰ افزایش جرم شدیدی به دنبال اکسایش رخ نمیدهد و با افزایش دما در ورای ˚C۱۰۰۰ فرایند اکسایش تسریع میشود. از دمای ˚C۱۴۰۰ به بعد اکسایش به حالت پایدار رسیده و شیب افزایش جرم کاهش مییابد. دادههای مقطعسنجی لایههای اکسیدی نشان داد که با افزایش دما به ˚C ۱۴۰۰ ضخامت لایه اکسیدی به ۱۲۱ µm افزایش مییابد.
کلمات کلیدی: فاز مکس ۲SiC۳Ti, رفتار اکسایشی, افزایش جرم
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1361501/