سیده زهرا رضوی سراسیا - دانشجو کارشناسی ارشد گرایش الکترونیک، دانشگاه خواجه نصیر طوسی
ناصر رضائی - دانشجو کارشناسی ارشد گرایش نانوالکترونیک، دانشگاه خواجه نصیر طوسی

امروزه کاربرد تقویت کننده های عملیاتی با زمان نشست کم درمدارهایی با سرعت انتقال داده بالا همانند مدارهای نمونه بردارو نگهدار روبه افزایش است. زیرادراین مدارها زماننشست عامل اصلی درتعیین حداکثرسرعت انتقال داده میباشدکه هر چه کمترباشد، سرعت بالاتر خواهد بود. روش پیشنهادی دراین مقاله برمبنای جبرانسازی غیرمستقیم با تکنیک جداسازی طول کانالترانزیستور میباشد که براساس آن خازن جبران ساز بین گره با امپدانس پایین و خروجی قرارمی گیرد. برخالف جبران سازیمیلری (مستقیم)، این روش سبب حذف صفر سمت راست، افزایش پهنای باند وپایداری بیشتر آپ امپ می شود. نتایج شبیه سازیدرسطح مدار با استفاده ازنرم افزار HSPICE وتکنولوژی ۰.۱۸ میکرومتر موثر بودن روش پیشنهادی را نشان می دهد. زیرا بابکارگیری آن زمان نشست بهبود می یابد.

تقویت کننده عملیاتی، جبران سازی میلری، جبران سازی غیرمستقیم، زمان نشست، HSPICE