معصومه نظرپوربختیاری - دانشگاه سمنان پردیس شماره یک ، آزمایشگاه دکتر فرامرز هرمزی، سمنان، ایران
فرامرز هرمزی - مهندسی شیمی، مهندسی شیمی نفت گاز ، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
سامان رشیدی - مرکزی، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران

در این پژوهش از یک ریزمخلوط گر فعال T شکل سه شاخه ای استفاده شده است. میدان مغناطیسی توسط یک سیممغناطیسی درون ریزمخلوط گر قرار داده شده است. میدان مغناطیسی اعمال شده ۸۰A می باشد. شبیه سازی در شدت میدانمغناطیسی ثابت و تغیر رینولدز انجام شده است.در این شبیه سازی افزایش رینولدز باعث کاهش اختلاط شده است. در رینولدز۱ میزان اختلاط به دست آمده ۹۹,۹۹ % می باشد. شبیه سازی توسط نرم افزار کامسول ۵,۶ انجام شده است.

ریزمخلوط گر، میدان مغناطیسی، رینولدز، اختلاط