حمدا.. صالحی - دانشیار، گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
حسین طولابی نژاد - دانش آموخته کارشناسی ارشد، گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران

در این مقاله ویژگی­ های الکترونی و ساختاری از جمله ثابت­های شبکه، ساختار نوارهای انرژی و چگالی حالت های  در حالت انبوهه و نانوسیم محاسبه و مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) و با استفاده از نرم افزار کوانتوم اسپرسو با تقریب­های چگالی موضعی (LDA) و تقریب گرادیان تعمیم یافته (GGA) صورت گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می­دهد که نوارهای انرژی سطح فرمی را قطع نکرده و دارای یک شکاف انرژی به اندازه ۴/۱ الکترون ولت در نقطه Γ در منطقه بریلوین می ­باشد که سازگاری خوبی با نتایج تجربی دارد. همچنین شکاف نواری در حالت نانوسیم­ ها حدود ۴۹/۱ الکترون ولت به دست آمد که نسبت به شکاف نواری در حالت انبوهه افزایش یافته است. در نهایت، پارامترهای محاسبه شده سازگاری خوبی با دیگر نتایج دارد.

InP, نظریه تابعی چگالی, شبه پتانسیل ساختار نواری, نانو سیم