محمد فلاح - دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
محمد غلامی
غلامرضا اردشیر

این مقاله برای افزایش فرکانس نوسان در اسیلاتورهای حلقوی روشی را پیشنهاد می کند که مبنای انتخاب آن از روابطی نشأت میگیرد –که برای تعیین فرکانس نوسان این نوع از اسیلاتورها استفاده می شود، بطوریکه طبق روابط بدست آمده برای محاسبه فرکانس نوسان دراسیلاتورهای حلقوی، همواره با کاهش خازن های گره خروجی، فرکانس نوسان افزایش خواهد یافت. لذا در روش پیشنهادی، با استفاده از سلول های ایجاد کننده خازن منفی حتّی زمانی که خازن گره خروجی فقط ناشی از خازنهای پیوندی ترانزیستورها باشد، می توان فرکانس را افزایش داد. کارایی این روش با شبیه سازی یک اسیلاتور حلقوی 3 طبقه بررسی شده که طبقات بهره در آن، تقویت کننده های سورس مشترکی اند که از ترانزیستورهایTSMC CMOS 0.18 um و مقاومت اهمی متصل به درین شکل گرفته اند. شبیه سازی این اسیلاتور حلقوی نوعی، افزایش 9 برابری فرکانس نوسان را نشان داده است. این نتیجه حتّی بهتر از حالتی است که از خازن منفی ایده آل در گره های خروجی اسیلاتور شبیه سازی شده در این مقاله استفاده شده است.

اسیلاتور حلقوی، توان نرمالیزه، خازن منفی، سلّول بهره