CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

اثر اکسید گالیوم بر ریز ساختار و نظم شبکه ای سرامیک Ba(Zn1/3Ta2/3)O3

عنوان مقاله: اثر اکسید گالیوم بر ریز ساختار و نظم شبکه ای سرامیک Ba(Zn1/3Ta2/3)O3
شناسه ملی مقاله: IMES02_328
منتشر شده در دومین همایش مشترک انجمن مهندسین متالورژی و انجمن ریخته گری ایران در سال 1387
مشخصات نویسندگان مقاله:

کیوان اسدیان - استادیار، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، مشکین دشت

خلاصه مقاله:
سرامیکهای بر پایه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 یک گروه مهم از سرامیکهائی هستند که بعنوان رزناتورهای دی الکتریک در سیستمهای مورد استفاده در فرکانسهای مایکروویو مانند آنتن های تلفن های همراه بکار می روند. ترکیب Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 بدون استفاده از کمک زینتر دانسیته ای حدوداً 51 درصد دانسیته تئوری در دمای زینتر °C1530 از خود نشان می دهد. با افزودن Ga2O3 به میزان 6/0 درصد وزنی دانسیته نسبی به بالاتر از حدود 97 درصد افزایش یافت. این افزایش بدلیل پیدایش فاز دومی است که اکسید گالیوم باعث بوجود آمدن آن میگردد. Ga همچنین علاوه بر حضور در فاز دوم، وارد شبکه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 نیز گردید. بررسی اثر Ga بر نظم شبکه ای توسط پراش اشعه X بدلیل ضعیف بودن پیکهای مربوط به سوپر ساختار میسّر نبود، به این دلیل از تکنیک SAD 1 در TEM 2 بدین منظور استفاده شد. این مطالعات نشان داد که حضور Ga در شبکه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 تغییری در نوع نظم (نظم 1:2) ایجاد نمی کند ولی با اینحال باعث تضعیف آن می گردد.

کلمات کلیدی:
دی الکتریک، رزناتور، سرامیک، مایکروویو، فرکانس، نظم، کمک زینتر

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/155648/