CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

ایجاد پوشش کاربید تنگستن روی سطوح آلومینیومی به روش مکانو شیمیایی

عنوان مقاله: ایجاد پوشش کاربید تنگستن روی سطوح آلومینیومی به روش مکانو شیمیایی
شناسه ملی مقاله: IMES02_379
منتشر شده در دومین همایش مشترک انجمن مهندسین متالورژی و انجمن ریخته گری ایران در سال 1387
مشخصات نویسندگان مقاله:

هادی نیامنش - کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی مواد دانشگاه علم و صنعت ایران
جلیل وحدتی خاکی - استاد دانشکده مواد دانشگاه فردوسی مشهد
محمد شیخ شاب بافقی - دانشیار دانشگاه علم و صنعت ایران

خلاصه مقاله:
در این تحقیق روش جدیدی برای پوشش دادن سطوح فلزی به روش مکانوشیمیایی ارائه شده است. زیرلایه مورد استفاده در این روش می تواند به عنوان محفظه، یا قسمتی از محفظه آسیا و یا به عنوان گلوله های آسیا باشد. در این پژوهش سطوح استوانه های آلومینیومی با کامپوزیت WC-Al2O3 به روش مکانوشیمیایی پوشش داده شد. دستگاه آسیای مورد استفاده از نوع آسیای آزمایشگاهی ماهواره ای بوده، و جنس گلوله ها و ظرف حاوی گلوله ها و پودر مورد نظر آلومینایی است. مخلوط پودری WO3 و کربن همراه زیرلایه آلومینیومی با گلوله های آلومینایی در محفظه آسیا با سرعت RPM350 آسیاکاری شد. در حین آسیاکاری واکنش شیمیایی بین مخلوط پودری و زیرلایه آلومینیومی WO3+C+Al انجام شده و با توجه به اینکه این واکنش به شدت گرمازا است، لایه کامپوزیتی WC+Al2O3 روی سطح زیرلایه آلومینیومی تشکیل می شود. از آنجایی که پوشش در حین آسیاکاری تشکیل می شود ممکن است که پوشش تشکیل شده به صورت نانوساختار باشد. پراش اشعه X (XRD) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) برای بررسی ترکیبات تشکیل دهنده، اندازه کریستالیت و ضخامت پوشش مورد استفاده قرار گرفت. با توجه به نتایج بدست آمده، به نظر می رسد که به کمک این روش جدید و گرمازایی بالای واکنش در حین آسیاکاری فصل مشترک بین پوشش و زیرلایه استحکام بالایی داشته باشد. همچنین این روش قابلیت ایجاد پوشش هایی با ترکیب های متفاوت روی زیرلایه های مختلف را دارا است. از کاربردهای اصلی برای این تکنیک می توان به ایجاد پوشش روی سطوح داخلی لوله های فلزی اشاره کرد

کلمات کلیدی:
پوشش دهی؛ مکانوشیمیایی؛ Al 2O3-WC؛

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/155694/