اکبر اسحاقی - دانشگاه صنعتی مالک اشتر تهران ، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوریهای ساخت
ضیاء والفی - دانشگاه صنعتی مالک اشتر تهران ، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوریهای ساخت
ناصر احسانی - مجتمع مواد وفناوری های ساخت- دانشگاه مالک اشتر تهران

در این تحقیق پوشش ZrC با روش پاشش پلاسمایی با غلاف جامد و گازهای محافظ (SSPS) با تزریق گاز محافظ داخلی Ar و H۲ با نرخ متفاوت بر روی زیر لایه گرافیتی(دارای پوشش SiC) اعمال شد و کیفیت ریز ساختار پوشش های اعمال شده با مقایسه با پوشش پلاسمایی مرسوم (APS) مورد بررسی قرار گرفتند. ابتدا اثر نرخ و نوع گازهای تزریق شده بر ریزساختار پوشش با مطالعه مورفولوژی ذرات در آزمون پاشش تک عبور بررسی شدند و همچنین ریزساختار و فازهای موجود در پوشش ها به همراه درصد تخلخل و مقدار اکسید آن ها ارزیابی گردیدند. با مقایسه تصاویر سطح و سطح مقطع پوشش ها، نتایج نشان می دهند پوشش اعمالی با روش SSPS و با تزریق گاز هیدروژن داخلی با نرخ l/min ۲۰ به درون غلاف، میزان ذرات ذوب شده /اسپلت ها و پهن شدگی آنها در این پوشش افزایش و مقدار تخلخل موجود در ریزساختار آن بیش از۵۰% نسبت به پوشش APS کاهش داشته است. سوختن هیدروژن با اکسیژن وارد شده به جت موجب مصرف اکسیژن و کاهش مقدار آن و تشکیل مقدار اکسید (۵۰% ) کمتر در پوشش و همچنین افزایش گرما و دمای اطراف جت پلاسما و افزایش میزان ذرات ذوب شده در پوشش ZrC-SSPS شده است.

پاشش پلاسمایی , غلاف جامد و گاز محافظ , پوشش ZrC