مصطفی سلحشور - عضو هیات علمی دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، نارمک، تهران

در این تحقیق، حرکت الکترون در میدان های الکتریکی و مغناطیسی رانشگر اثر هال به روش شبیه سازی بررسی شده است. ابتدا، توز یع میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ اعمالی به آند و همچنین توزیع چگالی شار مغناطیسی ناشی از آهنرباهای الکتریکی و اجزای فرومغناطیسی رانشگر محاسبه شده است. پس از آن، حرکت الکترون در میدان های الکترومغناطیسی رانشگر رد یابی گردیده است تا قابلیت آن در محبوس سازی الکترون ها بررسی شود. نشان داده شده است که به دلیل حرکت سوقی دریک حلقه بسته، الکترون ها در ناحیه خروجی کانال شتاب دهی رانشگر محبوس می شوند.

رانشگر الکتریکی هال، میدان مغناطیسی، پلاسما ، شبیه سازی