رسول دهقانی - دانشیار، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان ، ایران

چکیده: در این مقاله تحلیل و طراحی یک تقویت کننده عملیاتی ارائه می شود. این تقویت کننده قادر به دنبال کردن سیگنال ورودی از زمین تا ولتاژ تغذیه در هر دو ورودی و خروجی آن می باشد. براساس سطح ولتاژ حالت مشترک ورودی، یکی از دو زوج دیفرانسیل nMOS و pMOS برای تقویت سیگنال ورودی انتخاب می شوند. لذا عملکرد مدار مستقل از رابطه جریان درین در ترانزیستورهای طبقه ورودی خواهد بود. جریان های بایاس وac طبقه خروجی توسط دو حلقه تراخطی با کمترین حساسیت به تغییرات فرآیند ساخت، دما و تغذیه، تامین می شوند. نتایج شبیه سازی مدار در فن آوری سی ماوس ۱۸۰نانومتر نشان می دهد تقویت کننده در حالت نامی دارای بهره ولتاژ dc درحدود۸۰ دسی بل، پهنای باندبهره واحد ۵۱ مگاهرتز، حاشیه فازº۶۳ است درحالی که توان مصرفی ایستای آن تقریبایک میلی وات است. به ازای تغییرات ولتاژ حالت مشترک ورودی بین زمین تا تغذیه، حداکثر تغییرات نسبی هدایت انتقالی طبقه دیفرانسیل ورودی، بهره ولتاژdc، حاشیه فاز وپهنای باند بهره واحد به ترتیب %۶۳/۰، %۸۰/۰، %۴۸/۱و%۳۳/۰ می باشد. این تقویت کننده به عنوان بافر قادر به راه اندازی ترکیب موازی یک مقاومت بار۴۰۰ اهم و خازن ۲۰پیکوفاراد می-باشد.

ضریب هدایت انتقالی ثابت, تقویت کننده عملیاتی با دامنه نوسان کامل در ورودی, طبقه AB, حلقه تراخطی