شکوفه طباطبائی یزدی - پردیس دانشگاه فردوسی
محمدرضا علی نژاد - پردیس دانشگاه فردوسی
ناصر تجبر - پردیس دانشگاه فردوسی

تک­بلورهای Te۰۴/۰Zn۹۶/۰Cd (CZT) با قطر تا mm ۱۴ به روش بریجمن تغییریافته و بدون استفاده از هسته اولیه، رشد داده ­شدند. بلورهایی با همان ترکیب شیمیایی به روش انتقال فاز بخار به­وسیله گاز بی­اثر (VPGT) نیز رشد داده شد که تک­بلورهایی به بزرگی تا mm ۵/۳ به دست آمد. مطالعات ساختاری انجام شده با پراش پرتو X و تصاویر پس­بازتاب لاوه نشان می­دهند که بلورهای رشد یافته تک­فازند و ترجیحا به موازات محور بلور ]۱۱۱[ رشد می­کنند. گاف انرژی بلورهای رشد داده شده در حدود eV ۲/۱ است. خواص الکتریکی اندازه گیری شده به روش وندرپو نشان می­دهند که مرتبه بزرگی مقاومت ویژه تک­بلورهای حاصل W.cm۱۰۴ است. رسانندگی الکتریکی بلورهای رشد داده شده به روش بریجمن نوع p، و بلورهای رشد داده شده به روش VPGT نوع n است.

Crystal growth, Semiconductor, Bridgman, vapor phase transport, Cd-Zn-Te., رشد بلور, بریجمن, انتقال فاز بخار, نیمرسانا, Cd-Zn-Te.