Arash Daghighi - Department of Electrical Engineering, Shahrekord University
Hassan Rafiei - Graduate Student, Department of Electrical Engineering, Majlesi Branch, Islamic Azad University, Isfahan, Iran

In this paper for the first time, a circuit model for multi-finger I-gate body-contacted silicon-on-insulator MOSFET is presented. The model parameters are adjusted using simulation of a ۴۵ nm SOI nMOSFET. Using the model, typical body voltage for a ۳۵ finger device is obtained and applied to the transistor. The threshold voltage and drain current are obtained for the first transistor and center ones in the multi-finger structure. The drain induced barrier lowering of the center transistor is increased by ۳۰% and off-current ۴۰ times than that of the first transistor. Simulation results verified the I-gate body contact model in lack of controlling the body voltage comparing with the conventional body contacts e.g. H-gate. التحقیق فی I-GATE الاتصال الجسم لMOSFET ابناء العراق المنضب جزئیافی هذه الورقه للمره الاولی، یتم تقدیم نموذج الدائره للمتعدده اصبع I-بوابه اتصلت هیئه MOSFET السیلیکون علی العازل. یتم ضبط معالم النموذج باستخدام محاکاه ل۴۵ نانومتر ابناء العراق nMOSFET. باستخدام نموذج، یتم الحصول نموذجی الجهد الجسم لجهاز ۳۵ اصبع وتطبیقها علی الترانزستور. ویتم الحصول علی عتبه الجهد واستنزاف الحالیه للاول من الترانزستور ومرکز فی هیکل متعدد الاصابع. یتم زیاده حاجز استنزاف بفعل انخفاض الترانزستور مرکز بنسبه ۳۰٪ وخارج التیار ۴۰ مرات من الترانزستور الاول. التحقق نتائج المحاکاه علی I-بوابه نموذج هیئه الاتصال فی عدم السیطره علی الجهد الجسم مقارنه مع الاتصالات هیئه التقلیدیه مثل H-البوابه.

Silicon-on-Insulator MOSFET, en, I-gate Body Contact, Two-Dimensional Device Simulation, body resistance, Drain Induced Barrier Lowering