حامد امامی نژاد - Lorestan University
علی میر - Lorestan University
علی فرمانی - Lorestan University
رضا طالب زاده - Lorestan University

در این مقاله ما به صورت تحلیی اثرات دمایی و میدان الکتریکی عمود بر سطح سیلیسن را روی محدوده انتشار امواج الکتریکی عرضی  در محدوده فرکانسی ۱ تا  ۳۰ تراهرتز مورد بررسی قرار داده­ ایم. ساختار اتمی تک­ لایه سیلیسن برخلاف گرافن، مسطح نیست و همین موضوع باعث شده، رسانایی سطحی سیلیسن علاوه بر تراز فرمی، با میدان الکتریکی عمود بر سطح سیلیسن نیز قابل تنظیم باشد. این ویژگی باعث می­شود که سیلیسن نسبت به گرافن در محدوده وسیعتری بتواند امواج الکتریکی عرضی را منتشر کند. طبق نتایج شبیه سازی بر پایه معادلات کوبو، به ازای میدان الکتریکی عمودی mV/Å ۱۰۰، پهنای باند انتشار امواج الکتریکی عرضی در دماهای K ۵، K ۱۰۰، K ۲۰۰ و K ۳۰۰ به ترتیب برابر با THz ۲/۹، THz ۸، THz ۱/۳ و THz ۹/۰ است. با افزایش میدان الکتریکی عمودی به mV/Å ۲۰۰، پهنای باند برای دماهای مذکور به ترتیب برابر با THz ۷/۲۰، THz ۶/۲۰، THz ۷/۱۶ و THz ۷/۱۱ خواهد بود. در میدان الکتریکی عمودی mV/Å ۳۰۰ این مقادیر به ترتیب ذکر شده برابر با THz ۲۹، THz ۸/۲۸، THz ۴/۲۶ و THz ۸/۲۱ می شوند. همچنین طول حبس امواج TE در محدوده های انتشار نیز بدست آمده است که نشان می دهد با افزایش دما طول حبس زیاد خواهد شد.

Silicene, TE Mode, Kubo equations, Tera Hertz, surface conductive, perpendicular electric field, سیلیسن, امواج الکتریکی عرضی, رابطه کوبو, امواج تراهرتز, رسانایی سطحی, میدان الکتریکی عمود