نرجس حق جو - دانشجو کارشناسی فیزیک مهندسی دانشگاه ولیعصر(عج) رفسنجان
امیرحسین شکوه - دانشجو کارشناسی ارشد فوتونیک دانشگاه ولیعصر(عج) رفسنجان
محمد خان زاده - استادیارد گروه فیزیک دانشگاه ولیعصر(عج) رفسنجان

در این تحقیق لایه نشانی (CdTe) به روش الکترو دیپوزیشن بر روی زیر لایه Ito ⁄ لام انجام گرفت و ضریب شکست هر یکاز تیغه ها و ضریب شکست موثر آن ها با استفاده از تداخل سنجی مایکلسون اندازه گیری شد . لایه ی CdTe با ضخامت ۶ / ۲ میکرومتربر روی زیر لایه نشانده شده و ضریب شکست لام ، Ito و CdTe به ترتیب ۴ / ۱ ، ۹ / ۱ و ۹ / ۲ اندازه گیری شد. اندازه گیری ضریبشکست باروش تداخل سنجی مایکلسون میتواند جایگزین روش های گران قیمت شود.

تداخلسنج مایکلسون، تیغه اپتیکی، ضریب شکست ، لایه نازک ITO ، لایه نازک CdTe