CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدیCIGSبه کمک حل عددی معادلات نفوذ-رانش

عنوان مقاله: بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدیCIGSبه کمک حل عددی معادلات نفوذ-رانش
شناسه ملی مقاله: ICNE01_071
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:

عبدالنبی کوثریان - دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
فاطمه تحویل زاده

خلاصه مقاله:
با توجه به نقش سلولهای خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدیدپذیر پایدار، در این مقاله به بررسی عملکرد یک سلول خورشیدی فیلم نازکCIGS میپردازیم. در ابتداروش حل عددی معادلات نفوذ-رانش برای این دسته ساختارهای فراپیوند شرح داده میشودهمچنین با توجه به وابستگی گاف انرژی سلولهایCIGSبه غلظتGa به ازای مقادیر متفاوتGaپارامترهای سلول ترسیم میشود و مقدار گاف انرژی سلولCIGSبرای دستیابی به بیشترین بازده ارائه میگردد. در پایان نیز مشخصه جریان-ولتاژ سلول با گاف انرژی بهینه رسم میشود

کلمات کلیدی:
سلول خورشیدیCIGS مدلسازی عددی ساختار فراپیوند، ثابت جذب، چگالی نقص جاذبCIGS

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/193132/