بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدیCIGSبه کمک حل عددی معادلات نفوذ-رانش
عنوان مقاله: بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدیCIGSبه کمک حل عددی معادلات نفوذ-رانش
شناسه ملی مقاله: ICNE01_071
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
شناسه ملی مقاله: ICNE01_071
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:
عبدالنبی کوثریان - دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
فاطمه تحویل زاده
خلاصه مقاله:
عبدالنبی کوثریان - دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
فاطمه تحویل زاده
با توجه به نقش سلولهای خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدیدپذیر پایدار، در این مقاله به بررسی عملکرد یک سلول خورشیدی فیلم نازکCIGS میپردازیم. در ابتداروش حل عددی معادلات نفوذ-رانش برای این دسته ساختارهای فراپیوند شرح داده میشودهمچنین با توجه به وابستگی گاف انرژی سلولهایCIGSبه غلظتGa به ازای مقادیر متفاوتGaپارامترهای سلول ترسیم میشود و مقدار گاف انرژی سلولCIGSبرای دستیابی به بیشترین بازده ارائه میگردد. در پایان نیز مشخصه جریان-ولتاژ سلول با گاف انرژی بهینه رسم میشود
کلمات کلیدی: سلول خورشیدیCIGS مدلسازی عددی ساختار فراپیوند، ثابت جذب، چگالی نقص جاذبCIGS
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/193132/