(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر)

در نانو ترانزیستورهای لوله ای 3 بعدی جنبش بسیار بالای الکترون در گرافین، نوید داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر در مدار میباشد. مزیت عمده ادوات ترانزیستور دوقطبی دوبعدی بالستیک در معیار پردازش توان-تاخیر بسیار کوچک و مطلوب آنها است که طبق محاسبات به زیر 10fJ میرسد. غیر از گرافین مواد دیگری نیز با ساختار دو بعدی کشف شده اند که از آن جمله میتوان به سیلیسن، ژرمنن نیز اشاره کرد. ایده هایی نیز برای ساخت نانو ترانزیستور لوله ای 3بعدی اثرمیدانی با استفاده فسفورن و گرافن نیز داده شده است . ولی نانو ترانزیستورهای 2 بعدی بالستیک اثرمیدانی رایج که تاکنون ساخته شده اند خیلی کند هستند و زمان کلید زنی آنها از مرتبه چند دهم میلی ثانیه است که کاربرد آنها را به فرکانسهای چند کیلوهرتز محدود میکند.غیر از نانو ترانزیستور های بالستیک دوقطبی و اثر میدانی متداول، ایده های دیگری نیز برای استفاده از گرافین یا سایر مواد دوبعدی در ساخت ترانزیستور وجود دارد. یکی از این ایده ها، نانو ترانزیستور 3 بعدی اثر میدانی تونلی است که سرعت مطلوب تا چند گیگاهرتز، توان مصرفی کم و تغییرات بیشتر جریان درین از مزیتهای این ترانزیستور است.