پیمان کشاورزیان - دانشیار گروه مهندسی کامپیوتر، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد کرمان، کرمان، ایران

در این مقاله یک مدار مقایسه گر با ترکیبی از مدهای ولتاژی و جریانی و با تکنولوژی نانو ارائه شده است . ورودی ها ی مدار ازنوع جربانی و خروجی مدار بصورت ولتاژی می باشد . این مدار بصورت فازی و چند ارزشی می باشد و با استفاده ازترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی (CNTFET) در شبیه ساز HSPICE پیاده سازی شده است . در شبیه سازیاین مدار، پارامترهای تاخیر و توان مصرفی در متغیرهای مختلف توسط CSCOPE محاسبه شده اند . نتایج شبیه سازی هانشان داده اند که عملکرد این مدار از نقطه نظر سرعت حدود %۷۰ بهتر از مدارات تشخیص با متد طراحی یکسان ( ترکیبی ازمد ولتاژ و جریان) بوده است و توان مصرفی مناسبی را در اختیار ما قرار می دهد . این مدار در دماهای مختلف نیز شبیهسازی شده است و نتایج پارامترهای تاخیر زمانی و توان مصرفی نشان دهنده ثابت بودن عملکرد مدار در دماهای متفاوت میباشد که برای یک مدار مقایسه گر می تواند مزیت بالایی باشد.

منطق چند ارزشی، ترانزیستورهای نانولوله کربنی، مقایسه کننده، مد جریان، مد ولتاژ