محسن مرادی حاجی جفان - دانشجوی کارشناسی ارشد، رشته فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، دانشکده فیزیک
محمدرضا زمانی میمیان - دکترای فیزیک، دانشگاه علم و صنعت، دانشکده فیزیک
رحمت الله رحیمی - دکترای شیمی معدنی، دانشگاه علم و صنعت، دانشکده شیمی
محبوبه ربانی - دانشجوی دکترای شیمی معدنی، دانشگاه علم و صنعت، دانشکده شیمی

لایه های اکسید رسانای شفاف (TCO) دارای ویژگی شفافیت بالا در طول موج مرئی و رسانندگی الکتریکی نسبتا بالا میباشند. اکسید ایندیوم یک نیم رسانای نوع n با گاف انرژی حدود 5/3 میباشد. در این کار، فیلم سل ژل In2O3 نشانده شده توسط روش اسپین کوتینگ روی شیشه در 400 درجه سانتیگراد از پیش ماده های محلول آبی تهیه شد. ما از پلی وینیل الکل (PVA) به عنوان عامل اتصال دهنده برای سنتز استفاده کردیم. دو عملکرد خاص اتصال دهنده آلی PVA در این کار مؤثر است. یکی افزایش رطوبت پذیدی پیش ماده به دلیل افزایش گروه های هیدروکسیل و دیگری تولید نانوکلاسترها از طریق تجزیه آن. در طی عملیات دمادهی لایه سل-ژل، تجزیه PVA در 250 درجه سانتیگراد آغاز میشود، که به این ترتیب پیوند C-O شکسته شده و نانوکلاسترهای اکسید فلزی در محیط تجزیه شده PVA تشکیل میشوند. نانوساختارهای فیلم توسط SEM شناسایی شده و شفافیت آن توسط اسپکتروسکوپی UV-vis بررسی گردید. نتایج نشان میدهند که استفاده از PVA، منجر به یکنواخت شدن سطح In2O3 و افزایش شفافیت در مقایسه با غیاب PVA میگردد. در صنعت میتوان از این ترکیب به عنوان الکترود رسانای شفاف در نمایشگرهای صفحه تخت و یا به عنوان الکترود شفاف مقاوم در سلولهای خورشید استفاده کرد.

ایندیوم اکسید، TCO، سل –ژل، اسپین کوتینگ، پلی وینیل الکل