نعمت منصوری - دانشجوی دکتری مهندسی فراوری موادمعدنی
کمال صابریان - دانشیارپژوهشگاه علوم فنون هسته ای
محمد نوع پرست - استاددانشگاه تهران

دراین تحقیق با استفاده ازفرایند همرسوبی شیمیایی ازمحلول اسیدی نمکهای کلرید اهن 2و3 و پلی اتیلن گلیکول peg برای ساخت نانوذرات مغناطیسی استفاده شد سودنیز به عنوان عامل رسوب دهنده بکاررفت شرایط رسوب دهی نانوذرات مغناطیسی بهینه و خصوصیات نانوذرات بدست امده مورد ارزیابی قرارگرفت تصاویر بدست امده ازTEM نشان میدهد که ذرات بدست امده کروی میب اشد بررسی های انجام شده نشان داد که پلیمرپلی اتیلن گلیکول برروی نانوذرات قرارگرفته و به عنوان یک پل ارتباطی بین نانوذرات و استخرا ج کننده تری اکتیل امین عمل می کند پراش اشعه ایکس نشان داد که پوشش پلیمری هیچ تغییر فازی درذرات ایجاد نمی کند اندازه میانگین ذرات بین 8تا25 نانومتر می باشد پس ازاماده سازی نانوذرات سطح ذرات با استخراج کننده تری اکتیل آمین TOA اصلاح گردید و تاثیر میزان نانوذرات و میزان استخراج کننده برروی جذب اورانیم بررسی شد که نتایج نشان داد که درشرایط بهینه و با 12 میلی گرم ازنانوذرات پوشش داده شده با 30 درصد وزنی استخراج کننده در50 میلی لیتر ازمحلول حاوی اورانیم با غلظت اولیه 10 میل یگرم برلیتر میزان استخراج اورانیم برابر 90درصد و ضریب توزیع برابر 42192 میلی لیتربرگرم می باشد

نانوذرات مغناطیسی پوشش داده شده /تری اکتیل آمین/پلی اتیلن گلیکول/اورانیوم