حمداله صالحی - گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران، اهواز
زهره جاودانی - گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران، اهواز
حجت اله باده یان - گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران، اهواز

در این مقاله خواص اپتیکی نظیر بخش های حقیقی و موهومی ثابت دی الکتریک ، ضریب شکست استاتیکی، ضر یبشکست و ضریب خاموشی در جهات مختلف با استفاده از تقریب های مختلف برای ترکیب مونوفریت استرانسیوم مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شده ی خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی با تقریب های PBE و GGA+U (هابارد) و PBEO (تابع هیبرید) و MBJ و با استفاده از نرم افزار WIEN2k صورت گرفته است. نتایج به دست آمده بیان گر انطباق ساختار نواری با بخش موهومی تابع دی الکتریک و برابری تقریبی گاف نواری با گاف اپتیکی در همه ی تقریب هاست. علاوه بر آن همگی تقریب ها اوربیتال Px اتم اکسیژن را مسئول اولین گذار احتمالی معرفی می کنند و با اعمال تقریب های ذکر شده به ترتیب بالا ضریب شکست کاهش و گاف اپتیکی افزایش می یابد. بررسی ضریب شکست در راستاهای مختلف نشان می دهد که ضریب شکست در بازه ی صفر تا 2/5 الکترون ولت در راستای X مقادیر بیشتری را به خود اختصاص می دهد. در بررسی تقریب های مختلف در محدوده ی انرژی های کمتر از 20 الکترون ولت، تقریب MBJ مقادیر کمتری را برای ضریب خاموشی محاسبه می کند .

تابع دی الکتریک،تابع هیبرید،ضریب شکست استاتیکی،هابارد،مونوفریت استرانسیوم