آرش یزدانپناه گوهرریزی - دانشگاه تهران
ابوالفضل چمن مطلق - دانشگاه جامع امام حسین ع
علی میر - دانشگاه لرستان

اخیرااستفاده ازگرافین به علت گیت درترانزیستورهای اثرمیدان بسیارموردتوجه قرارگرفته است این مقاله به بررسی این افزاره ها باوجود ناصافی لبه های نانونوارگرافینی می پردازد برای بدست اوردن خواص افزاره بااستفاده ازتابع گرین غیرتعادلی و درنظرگرفتن اثرسومین همسایه نزدیک به همراه تصحیح تاثیر اولین همسایه نزدیک به سبب انحراف لبه ها نتایج شبیه سازی برای 200نمونه صورت گرفته و متوسط گیری شده ست

نانونوارگرافین، ترانزیستوراثرمیدان، نسبت جریان روشنی به خاموشی، ناهمواری لبه