هما هاشمی مدنی - دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات هرمزگان
مسعود جباری - معاون آموزشی،دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت

در سلولهای خورشیدی لایه نازک CIGS به علت ضخامت بسیار کم لایه جاذب و بافر نور زیادی به کنتاکت پشتی می رسد و از طرفی لایه اکسیدشفاف 2ZnO که نیمه رسانای نوع n است در نقطه اتصالش به کنتاکت فلزی با ایجاد سد شاتکی دو عامل اصلی ایجاد تلفات در سلول هستند.در اینمقاله برای بهبود بازده این سلولها روشی پیشنهاد شده که اساس آن افزایش دوپینگ قسمتی از لایه جاذب واکسید شفاف است،که اثرات آن به ازایضخامت های مختلف بحث شده وبازدهی را تا 3.11 %افزایش داده است.

اثر لایه p+ ،اثر لایه n+ ،سلول لایه نازک CIGS ، کاهش اثر بازترکیب،کاهش اثر سد شاتکی