فاطمه دهقان نیری - آزمایشگاه تحق
ابراهیم اصل سلیمانی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک ،گروه مهندسی برق وکامپیوتر ،دانشک
محمدهادی ملکی - آزمایشگاه لایه نشانی، بخش مهندسی تولید و تحقیقات لیزر،سازمان انرژی
رویا جلالی - آزمایشگاه تحق

در این مقاله، مقاومت تماسی دو ساختار Ni/Cu و Ti/Pd/Ag به سیلیکون چند بلوری نوع n اندازه گیری و بررسی شده است . ساختار Ni/Cu به دلیل ایجاد ارتفاع سد شاتکی بسیار کوچک ( غیر قابل اندازه گیری با روش ) C-V علاوه بر داشتن تماس اهمی بسیار مناسب با مقاومت تماسی بسیار کوچک به عنوان مناسبترین و ارزانترین ساختار به منظور تماس بر روی سیلیکون با مقدار معین آلایش انتخاب می شود . طبق نتایج بدست آمده مقاومت ویژه تماسی ساختار Ni/Cu بعد از گرمادهی در دمای 320 ° C به 4,8*10به توان 6- رسیده است و در مورد ساختار Ti/Pd/Ag بعد از گرمادهی در دمای 480 °C به 8*10 به توان 6- رسیده است .