رضا نوری - کارشناسی ارشد دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
مفید گرجی - استاد دانشگاه صنعتی نوشیروان بابل
داوود دومیری گنچی - دانشیار دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی در یک کانال سینوسی شکل حاوی نانوسیال تحت میدان مغناطیسی بررسی شده است. میدانمغناطیسی در زوایای مختلف بر کانال اعمال شده است. آب به عنوان سیال پایه در نظر گرفته شده و نانو ذره مس به آن افزوده می شود. ازمدل ماکسول- گارنت برای ضریب رسانش حرارتی و مدل برینگمن برای ویسکوزیته دینامیکی استفاده می شود. تغییر پارامتر هایی نظیر زاویه اعمال میدان مغناطیسی (فرمول در متن مقاله اصلی)، درصد حجمی نانوسیال و عدد بی بعد هارتمن، در جریان آرام با رینولدز 100 بررسی شده اند. نتایج نشان می دهند با افزایش قدرت میدان مغناطیسی و اضافه کردن نانوسیال انتقال حرارت افزایش می یابد. تغییر زاویه اعمال میدان مغناطیسی باعث تغییر در عدد ناسلت می شود و حداکثر افزایش در حالتی است که میدان مغناطیسی عمود بر کانال اعمال شود.

مگنتوهیدرودینامیک، نانوسیال، میدان مغناطیسی، انتقال حرارت، کانال سینوسی، متن باز اپن فوم