بهاره قدس - دانشجوی کارشناسی ارشد نانومهندسی شیمی
محسن اشجاری - عضو هیات علمی پژوهشکده علوم و فناوری نانو دانشگاه کاشان

امروزه نانوساختارهای یک بعدی به دلیل دارا بودن ساختار مناسب، برای ساخت تجهیزات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی،مورد توجه بسیاری قرار گرفته اند. مورفولوژی نانوساختارهای نیمه رسانای یک بعدی بر خواص نوری، الکتریکی،مغناطیسی و شیمیایی آن ها تاثیر دارد. در این مقاله روش سنتز نانوساختارهای نیمه رسانای یک بعدی GaN و GaP بیان شده است. روش های سنتز مورد استفاده در اینجا عبارتند از:CVD،تبخیر گرمایی، تصعید کمک کاتالیسیتی و.... همانطور که در مقاله توضیح داده میشود در روش CVD با تغییر نوع زیرلایه، مواد ته نشین شده و کاتالیست های مورد استفاده نانوساختارهایی با مورفولوژی های متفاوت اعم از نانوسیم، نانوبلت، نانونخ، نانودرخت، نانوکابل و... تشکیل می شوند. همچنین اثر دوپ کردن مواد متفاوت بر نانوساختارهای سنتز شده نیز مورد بررسی قرار گرفته است. برای مثال طبق نتایج به دست آمده با دوپ کردن Mn،بر نانوسیم های GaN،نانوسیم های نیمه رسانای فرومغناطیس تشکیل می شوند.در نهایت ساختار ترکیبات به دست آمده توسط SEM و TEM مورد بررسی قرار گرفته است.

نانو ساختار نیمه رسانا، روش CVD،ساختار ورتزیت، ساختار بلاند روی