سعید نوروزی مطلق - دانشجوی کارشناسی ارشدمهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحدفسا
مسعود جباری - عضوهیئت علمی دانشکده مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحدفسا

یک تکنیک خطی سازی برای تقویت کننده های کم نویز درتکنولوژی 0/18 مایکرون طراحی و شبیه سازی شدها ست ازقضیه ی مشتق جمع اثار یعنی روش DS و ویژگیهایی ترانزیستورهای BJT MOS جهت پیشبرد خاصیت خطی بودن استفاده شده است تقویت کننده کم نویز پیشنهادی نقطه ی تقاطع سوم IIP3 بالا توسط دوترانزیستور را به ما میدهد ترانزیستوراصلی FET درناحیه ی معکوس قوی بایاس شده درحالیکه ترانزیستور کمکی BJT درناحیه ی معکوس فعال بایاس شده است یک ساختار Current -Reusedجهت افزایش بازده تقویت کننده کم نویز بدون افزایش توان مصرفی انتخاب شده است تقویت کننده کم نویز طراحی شده بازده 14db را نشن میدهد همچنین عدد نویز 1/06dB درفرکانس 5گیگاهرتز را شبیه سازی می کند نقطه تقاطع سوم به مقدار7dB و توان مصرفی به اندازه ای 4/5mW ازیک منبع ولتاژ0/95ولتی نشان میدهد تلفات برگشتی ورودی s11 و تلفات برگشت خروجی S22 شبیه سازی شده به ترتیب درمقدار22.23dB-و11.64dB-نگهداشته شدهاست ایزولاسیون معکوسS12 بهتر از24.28dB- می باشد

تقویت کننده کم نویزLNA ، فرکانس رادیویی ، روش مشتق جمع آثار ، نویز حرارتی ، روش استفاده ی مجدد ازجریان