سیدمسعود رضوی - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه امام رضا (ع)
سیدرضا طالبیان - عضو هیئت علمی دانشگاه بین المللی امام رضا (ع)

در این مقاله با استفاده از ضرب کننده آرایه ای و بکارگیری تکنیک برگشتی ضرب کننده آرایه ای جدیدی مطرح شده است کهعملکرد مناسبی نسبت به ضربکنندههای آرایهای دارد. در قالب ضرب دو عدد 8 بیتی با استفاده از نرم افزار Hspice بوسیله ی کتابخانه TSMC180nm و ولتاژ تغذیه 1 ولت شبیه سازی صورت گرفته است. جهت بررسی صحت عملکرد، این مکانیزم در تکنولوژی های 130nm و PTM 65nm نیز پیاده سازی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که اعمال تکنیک فوق در ضربکننده آرایهای منجر به بهبود پارامتر PDP می شود. این بهبود به ازای تکنولوژی 180nm برابر با 13/32 درصد و به ازای تکنولوژی 130nm برابر با 3/23 درصد و به ازای تکنولوژی 65nm برابر با 7/51 درصد می باشد.لازم به ذکر است که اعمال این تکنیکبه طور قابل ملاحظه ای باعث کاهش تعداد ترانزیستورها و در نتیجه کاهش مساحت اشغالی می شود.

ضرب کننده آرایه ای، ضرب کننده آرایه ای برگشتی، توان مصرفی، تأخیر