سیدمسعود رضوی - مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه امام رضا (ع)
سیدرضا طالبیان - دانشگاه بین المللی امام رضا (ع)

در این مقاله با استفاده از ضربکننده آرایه ای جهشدار و توسط تکنیک برگشتی ضربکننده آرایهای جدیدی مطرح شده است که عملکرد مناسبی نسبت به ضربکننده آرایهای جهشداردارد. در قالب ضرب دو عدد 8 بیتی با استفاده از نرم افزارHspiceبوسیله ی کتابخانهی TSMC180 nm ولتاژ تغذیه 1 ولت شبیه سازی صورت گرفته است . جهت بررسی صحت عملکرد ، این مکانیزم درتکنولوژی PTM 56 nm نیز پیادهسازی و شبیه سازی شده است .نتایج شبیه سازی نشان میدهد که الکال تکنیک فوق در ضربکننده آرایهای جهشدار منجر به بهبود پارامتر PDP میشود این بهبود به ازای تکنولوژی nm 180 برابر با 23/26 درصد وبه ازای تکنولوژی 65nmبرابر با 43/88 درصد می باشد لازم به ذکر است که اعمال این تکنیک بطور قابل ملاحظه ای باعث کاهش تعداد ترانزیستورها و درنتیجه کاهش مساحت اشغالی می شود

ضرب کننده آرایه ای جهش دار ، ضرب کننده آرایه ای جهش داربرگشتی ، توان مصرفی ، تاخیر