امیررضا گائینی - دانشکده فنی مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات ساوه
مجید فولادیان - دانشکده فنی مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات ساوه

در این مقاله یک مدار مرجع ولتاژ با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت بر اساس اختلاف ولتاژ گیت – سورس یک ترانزیستور از نوع PMOS و دو ترانزیستور از نوع NMOS ارائه شده است. به منظور کاهش مصرف جریان، المانهای پسیو این مدار به حداقل رسیده است و همچنین تمام ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند. تغییرات ولتاژ خروجی مدار پیشنهادی بسیار پایین بوده و با تغییر ولتاژ تغذیه به اندازه ی 900mV ، ولتاژ خروجی فقط 90mV تغییر می کند. همچنین با تغییر دما از 40 - تا 120 درجه فقط 5mV تغییرات دارد به عبارتی تغییرات دمایی آن برابر 37ppm/°c می باشد. در این طرح، فقط از ترانزیستورهای ماسفت استفاده شده است و از هیچ ترانزیستور دو قطبی استفاده نشده است. ولتاژ تغذیه برابر1.8V بوده و ولتاژ خروجی 850mV می باشد.

مدار مرجع ولتاژ، ناحیه ی زیرآستانه، تغییرات دمایی، مصرف توان پایین