CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

تحلیل سلول خورشیدی سه پیوندی GaInP/GaAs/Ge و بهینه سازی راندمان آن

عنوان مقاله: تحلیل سلول خورشیدی سه پیوندی GaInP/GaAs/Ge و بهینه سازی راندمان آن
شناسه ملی مقاله: ICEES01_208
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد لنگرود در سال 1393
مشخصات نویسندگان مقاله:

حسن لطیفی - دانشگاه لرستان، دانشکده فنی و مهندسی ،گروه الکترونیک
علی میر - دانشگاه لرستان، دانشکده فنی و مهندسی ، گروه الکترونیک

خلاصه مقاله:
در این مقاله راندمان سلول خورشیدی سه پیوندی GaInP/GaAs/Ge به روش مدلسازی عددی newton و gummel مورد بررسی قرار گرفته است. این سه سلول بدلیل پوشش کردن طیف انرژی نور خورشید و همچنین عدم همپوشانی طیف جذبی همدیگر و نیز تطبیق شبکه ای دارای راندمان اولیه بالایی 29/3% است. با اضافه کردن لایه BSF در زیر پایه سلول، راندمان به 30/7 افزایش می یابد. بدلیل آنکه جریان تولیدی سلول با طول پخش حامل نسبت مستقیم دارد، با افزایش پارامتر ضخامت پیوند، راندمان سلول تا 30/92% افزایش داده شد. افزایش ضخامت توسط چالشی بنام اثر سایه )برروی سلول های پایینتر( محدود میشود. اثر سایه برای پایین ترین سلول )ژرمانیم( معنی نداشتهبنابراین ضخامت ژرمانیم نزدیک به 99 درصد کل سلول را تشکیل میدهد

کلمات کلیدی:
اثر سایه، پیوند تونلی، سلول سه گانه GaInP ، GaAs ، Ge، ضخامت پیوند

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/437686/