مهرداد انعامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد ماهشهر

با توجه به کاهش ابعاد تراشه های الکترونیکی و گرایش به فناوری نانو، تعیین دقیق میزان ضخامت و قابلیت اندازه گیری آن دارای اهمیت علمی و صنعتی است. یکی از روش های تعیین دقیق میزان ضخامت، روش تبخیری می باشد. روش تبخیری یک روش فیزیکی ساده بوده و دارای مزایایی از قبیل آهنگ انباشت بالا و سهولت اجرا است. تبخیر تحت خلاء جهت انباشت مواد رسانا در مدارها و قطعات الکترونیکی، برای کاربرد دیالکتریک، پوشش های اپتیکی و فناوری های توسعه یافته نظیر ابررساناها با دمای بالا مورد استفاده قرار می گیرد. در این روش با اعمال جریان الکتریسیته به دو سر بوته ماده مورد نظر تبخیر لایه های نازکی از فلزات (خالص و آلیاژ) نیمه هادی ها، دی الکتریک، عناصر و ترکیبات شیمیائی گوناگون را می توان انباشت نمود. در این کار اندازه گیری بسیار دقیق ضخامت لایه های نشانده شده به روش تبخیری جهت لایه نشانی موادی مانند کروم، سرب، طلا، آلومینیم و مس بر زیر لایه کوارتز انجام می پذیرد. سپس با استفاده از عبور جریان از یک المنت، دما بالا رفته و به این ترتیب ماده ای که بر روی المنت قرار دارد تبخیر می شود. ماده تبخیر شده بر روی سطح کریستال مسطح (QCM) نشسته و در انتها توسط مدارات واسط تغییرات ضخامت لایه های نازک، به تغییرات فرکانس تبدیل، سپس به کامپیوتر منتقل و نرخ رشد به نمایش گذاشته می شود. اعمال این روش بر روی یک نمونه آزمایشگاهی در خلاء نشان می دهد که اندازه گیری ضخامت لایه نشانی بر روی سطح کریستال مسطح با دقت چند نانومتر امکان پذیر می باشد.

ضخامت، QCM، روش تبخیری، نانومتر