اسما ترک زاده ماهانی - دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
پیمان کشاورزیان - عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی کرمان

با توجه به اینکه موضوع مصرف توان یک بخش مهم در مدارات حسابگر امروزی می باشد و در تجهیزات قابل حمل تاثیر زیادی دارد و از طرفی با پیشرفت تکنولوژی، شاهد افزایش نمایی جریان نشتی و در نتیجه مضرف بالای توان استاتیک می باشیم، در این مقاله مدار یک بیتی تمام جمع کننده کم مصرف با سرعت سوئیچینگ بالا بر پایه ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) و با بهره گیری از سلول Gate diffusion input(GDI) طراحی و نسبت به مدار جمع کننده تمام مجتمع مقایسه نموده ایم. مدار پیشنهادی در دماها و ولتاژهای مختلف با استفاده از شبیه ساز HSPICE مدل Stanford و با در نظر گرفتن تکنولوژی CNT 32nm شبیه سازی شده اند. با توجه به نتایج شبیه سازی مدار پیشنهادی در ترم های توان مصرفی، سرعت و PDP ( حاصلضرب ماکزیمم تاخیر و توان ) نشبت به کار قبلی بهبود چشمگیری دارد.

ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی، CNTFET، تمام جمع کننده، توان مصرفی، تاخیر، PDP