مهدیس شهبازنیا - دانشجوی دانشکده برق دانشگاه شریعتی، تهران
وحید ترکمان - دانشجوی دانشکده برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نراق، مرکزی،

سلول های خورشیدی پروسکایت هتروجانکشن هموار، در حوالی دمای کم ساخته شده اند، عملکرد تراشه های پروسکایت به طور قابل توجهی به بایاس خارجی در طول اندازه گیری و قبل از آن بستگی دارد. بوسیله ی فراهم کردن شرایط بایاس بهینه، می توان به افزایش 8 لایه ای در بازده ی تبدیل توان رسید. بهبود قابل توجه عملکرد قطعه ممکن است در نتیجه ی حرکت یون ها در پروسکایت تحت میدان الکتریکی خارجی باشد.

پروسکایت، سلول خورشیدی، میدان الکتریکی، هتروجانکشن