CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

ترسیب الکتروشیمیایی رنیوم از محلول پررنات آمونیوم بر روی تک کریستال سیلیسیوم

عنوان مقاله: ترسیب الکتروشیمیایی رنیوم از محلول پررنات آمونیوم بر روی تک کریستال سیلیسیوم
شناسه ملی مقاله: NEWMATERIALS01_194
منتشر شده در همایش ملی مواد نو در سال 1387
مشخصات نویسندگان مقاله:

حامد عطایی اصفهانی - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی و علم مواد دانشگاه صنعتی شریف پ
سید خطیب الاسلام صدرنژاد - استاد دانشکده مهندسی و علم مواد دانشگاه صنعتی شریف، پژوهشگاه مواد و ا

خلاصه مقاله:
مطالعه مورفولوژی رسوبات الکتریکی اجزای رنیوم بر روی الکترود تک کریستال سیلیکون از محلول حاوی پررنات انجام شد. شرایط نشست و احیای الکتریکی پررنات آمونیوم بر روی الکترود سیلیکون و همچنین مورفولوژی اجزا رسوب کرده توسط تکنیک های ولتامتری چرخه ای، کرونوآمپرمتری و میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) بررسی شد. همچنین مکانیزم جوانه زنی رسوب با تکنیک کرونوآمپرمتری مورد بررسی قرار گرفت و انتقال مکانیزم جوانه زنی سه بعدی از حالت لحظه ای به پیش رونده برای ترسیب رنیوم با کاهش پتانسیل پیشنهاد شد.

کلمات کلیدی:
رنیوم، رسوب الکتروشیمیایی، ولتامتری چرخه ای، کرونو آمپرمتری، تک کریستال سیلیسیوم، مورفولوژی رسوب

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/50791/