پرویز کاملی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
هادی سلامتی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
حسین احمدوند - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
بروس دیویدسون - TASC-INFM National Laboratory, Trieste, Italy

لایه های نازک منگنایت(در متن اصلی موجود می باشد) با استفاده از دستگاه لایه نشانی تپش لیزری (PLD) ساخته شد. سپس تأثیر افزودن MgO بر مغناطو مقاومت این لایه ها مورد بررسی قرار گرفته است . مطالعات نشان میدهد که MgO به عنوان فاز جداگانهای در بین دانهها قرار می گیرد . مقاومت الکتریکی نمونه ها در میدانهای 0/0 ، 0/3 ، 7/0 و 0/1 تسلا اندازه گیری شد . نتایج این اندازه گیری حاکی از آن است که مغناطو مقاومت لایه های نازک مورد مطالعه تحت تاثیر قرارگرفتن MgO در مرزدانه ها به صورت قابل توجهی افزایش می یابد. مقدار بیشینه مغناطو مقاومت برای نمونه آلاییده به MgO در میدان مغناطیسی 1 تسلا حدود2 درصد به دست آمد در حالی که این مقدار برای نمونه خالص حدود 18 درصد است . تونل زنی وابسته به اسپین و پراکندگی در مرز دانه ها توجیهی برای افزایش مغناطو مقاومت در نمونه آلاییده نسبت به نمونه خالص است .