CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

اثر میدان الکتریکی خارجی بر طیف جذب شیشه های آلائیده به خوشه های یونی نقره

عنوان مقاله: اثر میدان الکتریکی خارجی بر طیف جذب شیشه های آلائیده به خوشه های یونی نقره
شناسه ملی مقاله: ISSE07_111
منتشر شده در هفتمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی در سال 1385
مشخصات نویسندگان مقاله:

ارشمید نهال - دانشکده فیزیک، دانشگاه تهران
کیانوش شاپوری - دانشکده فیزیک، دانشگاه تهران

خلاصه مقاله:
در این مقاله نتایج بررسی اثر یک مید ان الکتریکی خارجی بر طیف جذبی شیشه های تبادل یون شده (Ag+) در حین گرم شدن گزارش می شود. مشاهده شده است، در صورتی که شیشه های آلائیده به یون های نقره در دمای بالا (Ө>500°C) قرار داده شوند و در عین حال یک میدان الکتریکی خارجی قوی( 1kV/cm~) موازی با سطح نمونه بر آنها اعمال شود، آن گاه در طیف جذبی این نمونه ها برای دو حالت قطبش عمود بر همِ نورِ آزمون (نور طیف سنج) اختلاف دیده میشود. آزمایش های ما نشان دادند که طیف جذبی برای نور قطبیده خطی هنگامی که موازی با جهت میدان الکتریکی خارجی اعمال شده باشد، بیشتر از حالت عمود است . این اختلاف برای ناحیه نوار جذبی حوالی 410 نانومتر بیشینه است . این طول موج مربوط به طول موج تحریک پلازمون های سطحی در خوشه های نقره خنثی نانومتری است . از طرفی میدانیم که گرم کردن شیشه های آلائیده به یون نقره منجر به تشکیل نانوذرات خنثی نقره می شود . بدین ترتیب بروز دورنگی (اختلاف طیف های جذبی برای دو حالت قطبش عمود برهم ) را براساس تشکیل نانوذرات خنثی نقره که بیشتر در راستای میدان الکتریکی خارجی انباشته شده اند و زنجیره های رسانا روی سطح شیشه تشکیل داده اند، توضیح داده میشود.

کلمات کلیدی:
نانوذرات، دورنگی، پلازمون سطحی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/53629/