CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI

عنوان مقاله: طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI
شناسه ملی مقاله: ICEE14_282
منتشر شده در چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران در سال 1385
مشخصات نویسندگان مقاله:

علیرضا صابرکاری - دانشگاه علم و صنعت ایران، دانشکده مهندسی برق.
علی افضلی- کوشا - دانشگاه تهران، قطب نانو الکترونیک، دانشکده برق و کامپیوتر
شهریار برادران شکوهی - دانشگاه علم و صنعت ایران، دانشکده مهندسی برق.

خلاصه مقاله:
َPDP یک معیار سنجش مستقیم برای میزان مصرف انرژی در واحد چرخه عملیاتی مدارهای محاسباتی است. کاهش ولتاژ تغذیه سلول Full-Adder برای رسیدن به PDP پایین یک روش مناسب در سطوح بالای طراحی برای بهبود بازدهی توان با حفظ سرعت در مدارهای محاسباتی است. در این مقاله یک طراحی جدید از یک سلول Full-Adder توان پایین یک بیتی ارائه شده است. در این سلول از تکنیک GDI برای تولید توابع XOR و XNOR استفاده گردیده است. نتایج شبیه سازی که توسط نرم افزار HSPICE و بر پایه تکنولوژی 0/18μm CMOS انجام شده، نشان می دهد که این سلول در مقایسه با سایر سلول های Full-Adder دارای میزان توان مصرفی پایین و PDP پایین به خصوص در ولتاژهای زیر 1V می باشد.

کلمات کلیدی:
GDI ,PDP ,Low Voltage , Low Power ,Full-Adder

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/54953/