احد فرهادی - دانش آموخته کارشناسی ارشد؛ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه آزاد اسلامی تبریز، تبریز، ایران
پیمان علی پرست - استادیار؛ پژوهشکده سامانه های فضانوردی، پژوهشگاه هوافضا (وزارت علوم، تحقیقات و فناوری) تهران، ایران

در این مقاله یک تقویت کننده توان فرکانس رادیویی با توان خروجی و راندمان بالا مبتنی بر فناوری (Monolithic Microwave Integrated Circuit) MMIC در محدوده ی باند X ( 8 تا 12 گیگاهرتز ) برای تله متری ماهواره های سنجشی در کلاس E و به صورت دو طبقه با ولتاژ بایاس VD=40 vو VG=-2 v طراحی و شبیه سازی شده است. برای این کار از پروسه ( Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor )GaN HEMT استفاده شده است. بهره سیگنال کوچک تقویت کننده نهایی حدود 25dB و حداکثر توان خطی 49.3dBm در فرکانس 10GHz می باشد. راندمان نهایی برای این تقویت کننده حدود 49% می باشد که به ازای توان ورودی Pin=40 dBm بدست می آید. توان اشباع تقویت کننده به ازای Pin=40 dBm حدود 195 وات می باشد و از لحاظ پارامترهای خطینگی AM/PM حدودdeg/dB 5- و مقدار (intermodulation Distortion Third Harmonic) IMD3 در تست دوتن حدود 21dBc- بدست آمد.

باند X،MMIC،GaN HEMT، تقویت کننده توان، توان اشباع، توان خطی