اکرم نصرآبادی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات خراسان رضوی(نیشابور)، گروه مهندسی برق، نیشابور، ایران
محمد جوادیان صراف - دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد، گروه مهندسی برق، مشهد، ایران

در این تحقیق عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای بدون پیوند(nnn) و با پیوند (npn) بررسی، شبیه سازی و مقایسه شده است. این مقایسه در دو حالت با طول فلزات گیت مساوی 7.5 نانومتر و طول فلزات گیت مختلف (12و8و6و4) نانومتر انجام گرفته است. در این روش فلز نزدیک سورس بالاترین تابع کار و فلز نزدیک درین کمترین تابع کار را دارا می باشد. طول گیت 3 نانومتر، ضخامت نانوسیم 1 نانومتر، ضخامت(sio2) 1 نانومتر و ضخامت (Hfo2) 3 نانومتر و ضخامت گیت 2 نانومتر می باشد [عینا همانند مقاله] دراین تحقیق از شبیه ساز Atlas Silvaco device simulator برای شبیه سازی استفادهد شده است. متغیرهای مورد بررسی در این تحقیق، ولتاژ آستانه DIBL (کاهش سد پتانسیل ناشی از ولتاژدرین)، Ion(جریان روشنی) و Ioff (جریان خاموشی) می باشد. ولتاژ آستانه در ترانزیستور پیوندی با طول فلزات گیت نامساوی بیشترین مقدار بوده است. Ion در ترانزیستور بدون پیوند با طول فلزات گیت مساوی دارای بیشترین مقدار و Ioff در ترازیستور پیوندی باطول فلزات گیت مساوی کمترین مقدار را دارا می باشد. در حالت کلی، ترانزیستور با پیوند با طول فلزات گیت نامساوی در مقایسه با سایر ترانزیستورها دارای کمترین مقدار DIBL می باشد.

بدون پیوند، تمام اطراف گیت استوانه ای، کاهش سد پتانسیل ناشی از ولتاژدرین، ولتاژ آستانه