طراحی تقویت کننده کم نویز CMOS پهن باند 7 تا 17 گیگاهرتز با تکنیک فیدبک مقاومت موازی
عنوان مقاله: طراحی تقویت کننده کم نویز CMOS پهن باند 7 تا 17 گیگاهرتز با تکنیک فیدبک مقاومت موازی
شناسه ملی مقاله: ASEA01_057
منتشر شده در اولین همایش ملی علوم کاربردی و مهندسی در سال 1395
شناسه ملی مقاله: ASEA01_057
منتشر شده در اولین همایش ملی علوم کاربردی و مهندسی در سال 1395
مشخصات نویسندگان مقاله:
جعفر حضرتی یادکوری - کارشناسی ارشد برق الکترونیک،دانشگاه آزاد سپیدان
امیررضا استخریان حقیقی
خلاصه مقاله:
جعفر حضرتی یادکوری - کارشناسی ارشد برق الکترونیک،دانشگاه آزاد سپیدان
امیررضا استخریان حقیقی
تقویت کننده های کم نویز، یکی از اجزای اساسی گیرنده در مخابرات بی سیم محسوب می شوند زیرا عملکرد آنها کارایی سیستم را از نظر نویز و خطی بودن مشخص می کند .هدف اصلی این مقاله تحلیل و طراحی تقویت کنندهکم نویز فراپهن باند توسط تکنولوژی CMOS است .تقویت کننده کم نویز طراحی شده در تکنولوژی 130نانو وپهنای باند 7 تا 17 گیگاهرتز و با منبع تغذیه 2.1 ولت و توان مصرفی 7.13 میلی وات و دارای گین dB 17 و عدد نویز 6.2 تا 4.3 dB می باشد. در این مقاله از تکنیک های فیدبک مقاومتی و سلف دیجنریشن استفاده شده که علاوه بر ایجاد تطبیق امپدانس ورودی برای انتقال ماکزیمم توان، مقدار نویز مدار نیز بهینه می شود و همچنین تاثیر تغییرات اجزا مدار بر پارامترهای پراکندگی مدار بررسی شده است
کلمات کلیدی: تقویت کننده کم نویز LNA، فراپهن باند UWB، فیدبک مقاومتی،سلف دیجنریشن
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/616637/