علی الیاسی - گروه برق-دانشکده فنی مهندسی- واحد ساوه- دانشگاه آزاد اسلمی- ساوه- ایران
شهریار جاماسب - دانشگاه صنعتی همدان، دانشکده مهندسی پزشکی، همدان، ایران

ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) را در سال 1970 برای سنجش های فیزیولوژی عصبی معرفی شد، که یک الکترود شیشه ای و یک MOSFET)Metal-Oxide-Semiconductor FET) ترکیب می شود تا فعالیت های یون را براساس تفاوتهای پتانسیلی دو الکترود ثبت نماید. از آن پس ، کارهای بسیاری برای پیشرفت عملکرد ISFET ها بعنوان سنسورها انجام شده است و موارد جدیدی معرفی شده که به یونهای مختلفی حساسند. در این مقاله به مروری بر کاربردها ترانزیستور ISFET به عنوان حسگر پرداخته شده و انواع مختلف این ترانزیستور را برای این کاربردها معرفی می نماییم.