محمد کریمی - کارشناسی ارشد ، فیزیک اتمی مولکولی، شرکت مخابرات ایران، منطقه آذربایجان غربی، مهاباد، ایران

در این مقاله چگالی حاملهای بار القاء شده توسط بایاس درگاهی روی یک سطح گرافنی در یک ساختار خازنی مسطح که یک صفحه آن گرافن وصفحه دیگر آن فلز ( درگاه ) است به ازای مقادیر مختلف ولتاژ درگاه محاسبه شده است ؛ سپس ولتاژ درگاهی و ولتاژ در کل ناحیه بین فلز و گرافنیعنی دی الکتریک بدست آمده است. ولتاژ و چگالی حاملها در نقاط مختلف این ساختار با استفاده از جعبه ابزار PDE در نرم افزار متلب به روشظرفیت کوانتومی بررسی و محاسبه شده است . نتایج نشان می دهند که ظرفیت کوانتومی خصوصا برای سیستمهای با چگالی حالت پایین مهم است ( مانند یک سیستم دو بعدی الکترونی در سطح یک دی الکتریک و یا سطح مشترک گرافن ) . در آخر به تحلیل و مقایسه نتایج حاصل از مدل ظرفیتکوانتومی با نتایج مدل ظرفیت کلاسیکی و روش پوآسون - دیراک به عنوان یک روش عددی خود سازگار پرداخته ایم تا نشان دهیم وجه تمایزظرفیت کلاسیکی و کوانتومی در نظر گرفتن تصحیح کوانتومی در مدل کوانتومی است که تنها هنگامی نقش آشکاری ایفا می کند که صفحه فلزی بسیار نزدیک به صفحه گرافن باشد و در این حالت نتایج مدل کوانتومی و روش خودسازگار پوآسون - دیراک یکسانند .

چگالی بار، گرافن، PDE ، ولتاژ درگاهی، ظرفیت کوانتومی